半导体材料禁带能隙的测量方法

时间：2024-01-25

测量半导体材料禁带宽度的方法是采用HT648型变温霍尔效应实验仪，其中200mT固定磁场由励磁电源提供。测量中样品恒流选用1mA以避免电流过大使样品发热，电流过小则检测信号太弱。样...

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测量半导体材料禁带宽度的方法是采用 HT - 648型变温霍尔效应实验仪，其中 200 mT固定磁场由励磁电源提供。

测量中样品恒流选用1mA以避免电流过大使样品发热，电流过小则检测信号太弱。样品恒流换向和磁场换向由计算机控制自动完成。

测量时先把样品放入液氮罐内降温至液氮温区，然后迅速提出并放置在样品槽内，测量过程中当样品升温至室温附近时打开样品加热电流，使得样品温度在 77～400K连续变化，实现变温测量。

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网友评论

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显示评论内容（4）

2024-01-25 15:02姚雨谦[江西省网友]103.232.4.36
学习半导体材料禁带能隙的测量方法不仅可以拓宽知识面，还能应用到实际生活中，希望可以学到更多实用知识。

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2024-01-25 14:46烂记性，慢半拍[台湾省网友]203.92.0.169
半导体材料的禁带能隙一直是个神秘的领域，对于它的测量方法很好奇，希望能够深入了解。

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2024-01-25 14:29我想要的幸福，谁能给我？[青海省网友]203.11.141.41
@望春风【用日志讲故事】看到这个话题，我突然觉得自己好像回到了学校的物理课堂，想要多了解一下这个测量方法。

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2024-01-25 14:13望春风【用日志讲故事】[江西省网友]203.187.168.23
这个话题真有趣，我对半导体材料的禁带能隙测量很感兴趣，期待能学到更多知识。

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